IGBT雙單元晶體管中頻電源柜與可控硅串聯中頻電源柜的區別

雙管IGBT與可控硅串聯都是由整流、逆變、補償三部分組成，不同處為以下幾點：

1：耗能區別；

（1）逆變部分：IGBT中頻電源柜的逆變部分是由模塊進行逆變的，模塊和可控硅的區別在于關斷時間，模塊的關斷時間比可控硅的快60倍，而且即開即停，不需要緩沖，因此每噸鐵水比可控硅串聯的可節省30度電。

（2）換流電感：由于可控硅關斷時間要比模塊的慢，在關停的時候需要換流電感來進行緩沖，所以可控硅電爐比IGBT電爐多了換流電感部分，這樣可控硅串聯電爐會比IGBT電爐每噸鐵水多耗20度電。

根據以上兩處不同，同種條件下IGBT電爐要比可控硅串聯電爐每噸節省50度電。

2：熔煉速度區別；

IGBT模塊的關斷時間快且沒有換流電感，因此在同等功率下IGBT電爐的熔煉速度要比可控硅串聯電爐快5-10分鐘。

3：維修方面區別；

IGBT控制柜結構簡單，維修方便，維修費用低，經過簡單培訓企業內部電工就能完成獨立維修。

4、安全區別；

IGBT 中頻電源柜獨特的結構設計，徹底解決銅感應圈匝間打火的問題，獨特的設計結構還能使爐內鐵水的懸浮電壓低，對操作工人不會造成傷害，從而保障操作工人的安全。

5：噪音區別；

因為IGBT是電壓型控制器件，可控硅是電流型控制器件，所以IGBT電爐要比可控硅電爐的噪音小一半。

6：市場調研實時對比；

近幾年由于中國國內電費的上漲，雖然IGBT電爐比可控硅串聯電爐價格高，但中國企業在上電爐的時候80%都會選擇IGBT新型節能電爐。