華瑞專利產(chǎn)品——全新IGBT 雙單元晶體管中頻電源

設(shè)備優(yōu)點(diǎn)

▲運(yùn)行穩(wěn)定、保護(hù)可靠。IGBT模塊中頻電爐，采用一個(gè)驅(qū)動板驅(qū)動一個(gè)模塊的方式，可靠性大大超過了以往的單管IGBT中頻電爐，即使發(fā)生爐體短路、打火、穿鋼、水電纜燒斷，IGBT都不會損壞，解決了以往同類單管  IGBT 模塊一炸一串的缺陷，很大程度的降低了維修費(fèi)用。

▲實(shí)用性方面，設(shè)備聲音小、皮實(shí)耐用、過載能力強(qiáng)、對使用環(huán)境沒有特殊要求、使用維修簡便、費(fèi)用低。

技術(shù)特點(diǎn)

1 、IGBT 中頻電源采用電容與感應(yīng)圈串聯(lián)形式連接電路，因采用調(diào)頻調(diào)功，整流橋處于不控狀態(tài)，功率因數(shù)高達(dá)0.97以上，工作過程中諧波小。

2 、IGBT 晶體管控制特點(diǎn)與可控硅相比不但可以控制導(dǎo)通，還可以任意自主控制關(guān)斷，不像可控硅被動關(guān)斷且需要時(shí)間，因此逆變功率因數(shù)也更高(≥97%), 同等的進(jìn)線電壓(380V)，IGBT中頻電源輸出的爐體電壓更高，IGBT逆變電壓在2800V 左右，傳統(tǒng)可控硅的逆變電壓僅為750**大800V,  電壓高了近四倍，線路損耗小，可節(jié)能15%。

3、恒功率輸出IGBT中頻電源調(diào)頻調(diào)功與傳統(tǒng)可控硅中頻電源調(diào)壓調(diào)功相比，它不受爐料多少、爐襯壁薄厚的影響，在整個(gè)熔煉過程中接近恒功率輸出。 傳統(tǒng)可控硅中頻電源加熱過程中受磁感量變化大的影響，起初熔煉功率小，影響熔煉速度。可控硅電源的功率是隨著熔煉時(shí)間及磁感量變化而變化的，由小功率慢慢提高到大功率運(yùn)行的過程，降低變壓器的容量利用率，從而提高了生產(chǎn)成本，在這一點(diǎn)上IGBT中頻電源能節(jié)能3%～5%左右。